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金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有深过孔条隔离的集成电路结构”的专利，公开号 CN 119181705 A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，描述了具有深过孔条隔离的集成电路结构。例如，集成电路结构包括多条栅极线。多个沟槽接触部在多个源极或漏极结构之上延伸，所述多个沟槽接触部中的个体沟槽接触部与所述多条栅极线中的个体栅极线交替。背侧金属布线层在所述多条栅极线中的一条或多条栅极线之下延伸并且在所述多个沟槽接触部中的一个或多个沟槽接触部之下延伸。导电结构将所述背侧金属布线层耦合到所述多个沟槽接触部中的所述一个或多个沟槽接触部之一。所述导电结构具有在第一导电结构部分和第二导电结构部分之间的切口。所述多条栅极线中的与所述导电结构中的所述切口相邻的第一栅极线中的切口小于所述多条栅极线中的与所述第一导电结构部分或所述第二导电结构部分相邻的第二栅极线中的切口。
本文源自：金融界
作者：情报员
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