上海
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法”，专利申请号为CN202411256993.9，授权日为2024年12月31日。
专利摘要：本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
今年以来格力电器新获得专利授权0个，较去年同期减少了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了35.32亿元，同比减0.35%。
数据来源：天眼查APP
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