首款DDR5内存问世！国产存储站起来了

近日，国产内存市场传出好消息。

存储厂商金百达、光威上架了两款新的台式电脑专用的DDR5内存产品，售价499元。值得注意是，这两款内存条采用了国产方案，产品介绍写着“国产首款DDR5内存芯片颗粒”。

科技博主“WittmanARC”通过拆解金百达的新内存，推测内存芯片出自长鑫存储。观察者网就此事向长鑫存储求证，对方未予回应。

据悉，目前国内能够制造内存芯片的只有长鑫存储和福建晋华两家。2023年底，长鑫存储曾宣布推出LPDDR5产品，正式进军移动终端市场，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。

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国产存储，跨出关键的一大步

国产DDR5内存的问世，不仅是技术的突破，更是国产自主可控能力的体现。

DDR5作为最新一代内存技术，性能相比DDR4在传输速度和能耗管理上有了显著强化，但这也更依赖尖端的制造技术和设计能力。既要平衡好高频率运行带来的发热和能耗问题，又要攻克信号完整性、数据传输、硬件兼容性等技术难关。

一直以来，全球DDR市场被三星、SK海力士、美光三家头部厂商垄断，市场份额合计超过90%。而中国作为主要消费市场之一，在高端内存领域，可替代的国产少之又少。可量产DDR5自主方案的出现，意味着国产存储芯片技术向前迈进了一大步。

从最直观的价格来看，自主方案在高端内存市场存在一定的价格优势：同样是台式机用DDR5-6000 16GB*2 CL36的内存条，采用国产颗粒的金百达和光威内存条售价在499元-519元，而采用SK海力士M-die颗粒的金百达银爵售价为639元，采用美光原厂颗粒的英睿达Pro系列超频条售价为579元。

除此之外，DDR5内存颗粒技术的自主可控，降低对外部供应的依赖意义更大，有利于增强中国科技产业抵御风险的能力。毕竟借助国际大厂的现成方案，虽然有利于快速建立产品，同时也要承受外部供应商带来的供应不稳定、价格波动等风险。

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AI时代，存储需求大爆发

AI时代，智能设备需要的算力储备需求爆发式增长，要满足AI手机、AI PC、智能汽车等品类的运算需求，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。

市调机构TechInsights在报告中指出，存储器市场，包括DRAM和NAND，预计在2025年将实现显著增长。其中，2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。

另外，TechInsights预测，2025年内存市场的资本支出（capex）越来越多地流向DRAM，特别是HBM，DRAM资本支出预计将同比增长近20%。然而，这一转变导致对NAND生产的投资极少，可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。NAND领域的盈利能力持续改善，可能会在2026年重新点燃该领域的投资热情。

12月30日，国家发改委等6部门发布关于促进数据产业高质量发展的指导意见，提出加快发展高带宽、高容量、高性能存储器，推动湖仓池一体、数据编织、数据压缩等技术创新。支持面向数据分类分级管理使用需求，提供全栈数据存储产品和解决方案。

佰维存储CEO何瀚近期接受媒体采访也表示，2024年，全球存储市场进入景气周期，行业上行加上国产化率的进一步提升，在双重因素的影响下，国产存储迎来发展良机。加之人工智能+电脑、手机、眼镜等产品涌现，对存和算的结合提出了更高的要求，在这种趋势下，存储加先进封装，成为了产业探索的重要方向。

由此来看，国内存储行业正迎来黄金发展期，留给国产厂商的机会还有很多，下一步是实现1到N，实现对更多应用需求的满足。

03

中国存储的千钧一战

存储作为半导体产业最大细分市场，约占全球半导体产业的三分之一。其中，NAND Flash和DRAM两种主流存储器就占据了全球整体存储器市场份额的96％左右。NOR Flash和SRAM因其独特的特性独占一方市场，其余广泛技术应对不同终端系统和市场的要求。

DRAM

DRAM价格低廉、容量大，通常用作内存。目前我们在生活中能够接触到各种内存概念产品均为DRAM，领导标准机构JEDEC（固态技术协会）将DRAM定义为标准DDR、移动DDR、图形DDR三个类别，分别指代的就是电脑内存、手机运存、显卡显存。

TrendForce最新发布的2024年三季度全球DRAM市场报告显示，2024年Q3全球 DRAM产业营收为260.2亿美元，环比增长13.6%，其中三星、SK海力士、美光三巨头市场占有率超过95%。

而国内DRAM芯片起步较晚，与国外企业相比，大致落后5-6年，且技术差距还在扩大之中。目前，在DRAM赛道上，有相应产品的国产芯企包括长鑫存储、紫光国芯、福建晋华、东芯半导体、北京君正、兆易创新等。

另据Yole预测，2020~2026年DRAM全球市场将以15%复合年增长率增长，5G将拉动LPDDR需求，物联网、云服务和将带动数据中心DRAM需求增长，汽车自动驾驶将成为DRAM新战场。

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SRAM是所有存储类型中最快的，且没有写次数限制，并且它可向先进制程兼容，从而达到更高的能效比和面效比。通常作为中央处理器（CPU）的缓存使用，特别适合用于存算一体技术。

但SRAM价格昂贵，全球市场占比始终较小。到2025年，全球SRAM市场规模将达到5.27亿美元，复合年增长率为4.45%。

SRAM的主要市场参与者以瑞萨电子（Renesas）、赛普拉斯（Cypress，被英飞凌收购）、安森美半导体（ONsemi）、微芯半导体（Microchip）等国外厂商为主。

2021年，北京君正并购了北京矽成（ISSI），补充了SRAM这一产品路径。2022年，北京君正的SRAM产品收入在全球市场中位居第二位。据悉，北京君正拥有的SRAM产品品类丰富，从传统的 Synch SRAM、Asynch SRAM 产品到行业前沿的高速 QDR SRAM 产品均拥有自主研发的知识产权。

NAND Flash

NAND Flash属于数据型闪存芯片，可以实现大容量存储、高写入和擦除速度，多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术，依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位与4位。

其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同两个赛道，这是因为SLC技术较老，不值得将SLC转换成更现代技术，但SLC的寿命、可靠性是最优的，因此仍具一定市场价值。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。

技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NAND Flash存储密度。三星电子2013年率先开发出可商业应用的24层3D NAND，2023年，各大NAND Flash厂商竞相将3D堆叠的层数推到200层以上。存储芯片大厂铠侠最新表示，在人工智能需求的推动下，预计到2028年，对NAND Flash的需求将增加2.7倍。

在NAND Flash赛道，长江存储是国内鲜有的可与国际厂商同台竞技的企业，也是五大国际原厂以外市场份额最大的NAND Flash晶圆原厂。

EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash

由于六家国际大厂在大容量领域表现过于强势，国内玩家只能在大厂基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash领域发挥。中小容量非易失性存储器国内外主流工艺节点差距较小，国际大厂工艺先进的优势无法得到充分发挥，有利于国内厂商的切入。

在EEPROM领域，赛迪顾问数据统计显示，2019年，聚辰半导体拿下EEPROM全球市场的9.9%份额，占比排名第三，仅次于意法半导体（31%）和微芯科技（22.1%）；其手机摄像头EEPROM市场份额更是高达43%；产品方面，聚辰半导体现已拥有AEC-Q100认证的全系列汽车级EEPROM产品和NOR Flash产品，产品主要应用于视觉感知、三电系统、底盘传动及微电机、智能座舱等核心部件。

此外，复旦微电、普冉半导体、上海贝岭和辉芒微电子同样布局了EEPROM产品线。

近年来，5G基站建设，物联网可穿戴智能设备，TWS耳机，AMOLED屏幕的火爆，以及TDDI将触控功能整合进入驱动IC，甚至汽车为保证数据的完整性，防止事故突然掉电导致数据丢失的情况下，要求必须搭载NOR Flash等，均带来了对NOR Flash产品的明显需求。

在NOR Flash领域，兆易创新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市场份额超过20%，产品覆盖消费、工业、汽车等领域。随着NOR Flash的产品需求在不断增加，为了获得市场先机，聚辰半导体、普冉半导体、东芯半导体、武汉新芯等国内存储厂商也推出了自己的NOR Flash产品。

在SLC NAND Flash领域，Gartner数据表示，2021年SLC NAND 全球市场规模为21.37亿美元。目前，铠侠、华邦电子、旺宏电子等企业在该领域占据较高的市场份额。国内在该领域发力的存储企业包括东芯半导体、兆易创新、复旦微电等。

存储模组与终端

存储模组由NAND Flash、主控芯片和DRAM颗粒组成，可分为三大类：固态硬盘（SSD），应用于大容量存储场景；嵌入式存储，应用于电子移动终端低功耗场景；移动存储，U盘、移动盘等，应用于便携式存储场景。

全球范围内，存储模组厂商包括美国的金士顿、希捷和SMART，中国台湾的威刚、创见（Transcend）、PLEXTOR、宜鼎国际（innodisk），中国大陆的江波龙、朗科科技、佰维存储、大为创芯、铨兴、时创意电子、嘉合劲威、亿恒创源、康盈半导体等。

最新消息显示，佰维存储首次打入2023年全球十大固态硬盘模组制造商排名，位居第五。

作为闪存模组的重要组成部分，主控芯片发挥着关键作用，根据QYResearch调研，2023年，全球前五大存储控制芯片厂商美满电子、慧荣科技、群联电子、祥硕、得一微电子，占有大约77.0%的市场份额。

此外，国内存储主控芯片相关厂商包括江波龙、澜起科技、德明利、联芸科技、国科微、忆芯科技、英韧科技等。日前，国内固态存储主控芯片及解决方案提供商芯盛智能宣布，携手中芯国际推出了业界首款支持端侧AI推理应用的SATA III企业级SSD主控芯片XT6160系列。

展望未来，在物联网、智能汽车以及智能制造等领域蓬勃发展的大背景下，中小容量存储芯片所处的市场有着进一步拓展的良好前景。而这一趋势，无疑将成为国产存储厂商乘势而上、进一步拓展市场份额，并持续扩大自身竞争优势的绝佳机会窗口，真正实现从占据国内市场到走向国际舞台，推动整个国产存储产业迈向更高的台阶。

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