北京
金融界2025年1月4日消息，国家知识产权局信息显示，连科半导体有限公司取得一项名为“一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构”的专利，授权公告号CN 222251124 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本实用新型是一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构，其结构包括从上至下依次设置的上半月热场、衬底所在腔室、下半月热场，在上半月热场下端面靠近进气口处均布设置若干致密的气孔，气孔所在处对应的上半月热场内底部上方平行设有隔断板，输入氩气气流的导管端部连通气孔与隔断板之间的上半月热场侧壁。水平氩气气流通过导管进入气孔与隔断板之间空间内时，通过气孔流向衬底所在腔室形成致密气帘，使参与反应的源气层流向下移，进而减少上半月热场下端面沉积产生，隔断板可有效抵消气孔导致的温度变化，使上半月热场、下半月热场温度分布相对均匀。可有效延长卧式炉维护周期，提高卧式炉产能。
天眼查资料显示，连科半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11312.5万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，连科半导体有限公司共对外投资了1家企业，知识产权方面有商标信息14条，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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