群联展示 6nm E28 NVMe Gen 5 控制器

在 CES 2025 上，我们发现了将推动高端 NVMe Gen 5 SSD 普及的 SSD 控制器。到目前为止，高端 Gen 5 SSD 由 Phison（群联） 的 E26 系列控制器驱动，该控制器基于台积电的 12 nm 工艺制造。该公司周一推出了新的 E28 系列控制器（全名 PS5028-E28）。该芯片基于更先进的台积电 6 nm 工艺制造。新工艺使 Phison 能够显着降低其 NAND 闪存接口串行器-解串器的电气成本，并将性能提升到更接近 PCI-Express 5.0 x4 接口极限。

该控制器提供 14.5 GB/s 的连续速度，比去年的 E26 Max14um 版本有所提高。该公司展示了裸露的 E28 控制器芯片和基于它的参考设计 SSD。除了驱动器缺乏任何冷却解决方案外，没有太多可报告的内容。采用 E28 的量产 SSD 仍需要散热器来实现最佳性能，尽管它们的运行温度不会像采用 E26 的驱动器那样高。该公司没有为这款驱动器提供任何性能演示设备。

在 CES 上，Phison 还宣布其中档 NVMe Gen 5 无 DRAM 控制器 E31T 获得了对美光新 G9 系列 NAND 闪存的支持。Phison 展示了一款未发布的 Crucial P510 SSD，它将 G9 闪存与 E31T 的最新版本相结合，并具有相当薄的被动冷却解决方案。为这款驱动器设置了一个演示站，展示了它的读取速度为 11 GB/s，写入速度为 8.6 GB/s，以及使用 QD32 的 4K 随机访问读取速度为 5.9 GB/s。

最后，我们看到了 Pascari D205V，这是一款带有 U.2 Gen 5 x4 接口的 2.5 英寸企业级 SSD。该驱动器的最大容量高达 122.88 TB，这是使用 QLC NAND 闪存实现的。在性能方面，您会看到连续读取速度高达 14.6 GB/s，连续写入速度高达 3.2 GB/s；4K 随机读取高达 300 万 IOPS，4K 随机写入高达 35，000 IOPS。因此，该驱动器针对具有温热数据的云存储数据中心应用进行了优化。