北京
金融界 2025 年 1 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种减少钨栅极缺陷的方法”的专利，公开号 CN 119252735 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本申请提供一种减少钨栅极缺陷的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成多个伪栅极结构，其中，具有大尺寸线宽的伪栅极结构的高度大于具有小尺寸线宽的伪栅极结构的高度；步骤二，在衬底上形成由自下而上层叠的 HARP 工艺形成的材料和等离子体增强沉积工艺形成的材料构成的层间介质层；步骤三，研磨层间介质层直至露出伪栅极结构的顶部；步骤四，去除伪栅极结构中的栅极层后，在衬底上形成钨金属层；步骤五，研磨钨金属层以形成钨栅极。避免层间介质层的表面出现碟形缺陷所导致的钨残留，同时，抑制过研磨所导致的钨栅极高度的下降。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2168条，此外企业还拥有行政许可341个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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