北京
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金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119252825 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括：基底、第一芯片和第二芯片。基底上包括第一凹槽、第二凹槽和基底通孔。第一凹槽形成于基底的正面，第二凹槽形成于基底的背面，基底通孔位于第一凹槽和第二凹槽的外侧。第一芯片植入于第一凹槽中，第二芯片，植入于第二凹槽中。第一芯片和第二芯片，分别电连接至对应的基底通孔，且通过基底通孔通信互连。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目376次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可45个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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