中国第三代半导体 “生力军” 氮化镓（GaN）最新发展动态

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近年来，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，在全球范围内引起了广泛关注。中国作为全球重要的半导体市场之一，其GaN产业的发展尤为突出。就在上个月，美通社还发表了一篇文章，指出华为在无线通信领域的长期领先，正是由于其在中国拥有完善的GaN供应链。这不仅凸显了GaN在现代通信技术中的关键作用，也反映出中国在该领域的强大产业基础和创新能力。在政策支持和市场需求的双重推动下，中国的GaN产业到底发展的怎么样了？本文将从多个角度深入剖析，带大家一探究竟。

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沿海分布的GaN产业

GaN的产业链范畴大致包括GaN单晶衬底(以SiC、Si、蓝宝石为衬底)，GaN材料外延，器件设计、制造以及封测，各个环节国内均有企业涉足。据MIR 睿工业了解，目前中国的GaN产业主要集中在东南部沿海地区。

中国GaN产业分布概况（仅列举代表性厂商）

以上海、江苏和浙江为中心的长三角地区，集中了大量研发和生产企业，拥有完善的产业链配套能力，包括衬底厂商科恒晶体、镓铝光电等，外延厂商晶湛半导体、聚能晶源、汉骅半导体等，以及涉及多个环节的英诺赛科、华功半导体、能华微电子、能讯半导体等。

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中国的GaN“黑马”都有谁？

中国GaN行业近年来发展迅速，一批企业凭借自身优势在市场中崭露头角，这些企业在技术研发、市场应用和产业布局上展现出独特的优势，成为行业内的“黑马”。

衬底制造商-镓特半导体

镓特半导体科技(铜陵)有限公司成立于2017年，注册资本为4.2亿元人民币，主要从事研发、生长、制造大尺寸的高质量、低成本自支撑GaN衬底。

中国第一家实现4英寸GaN衬底量产的厂商

镓特半导体目前产品仅包含两类，分别是2英寸GaN衬底及4英寸GaN衬底，是国内第一家实现4英寸GaN衬底量产的厂商。产品主要用于半导体功率激光器、光通信、LED、航天、新能源汽车驱动等领域。

开展4英寸以上大尺寸GaN衬底研发工作

镓特半导体目前的技术水平最大仅能生产4英寸的GaN衬底，4英寸以上衬底生长技术仍旧处于研发阶段。未来镓特半导体会进一步加大研发投入，实现4英寸以上GaN衬底的量产。

外延片制造商-汉骅半导体

苏州汉骅半导体有限公司成立于2017年，主要从事第三代半导体GaN外延材料的研发、设计、制造和销售。

GaN功率外延与GaN RGB光电外延

汉骅半导体GaN功率外延产品覆盖射频开关、高低压快充，应用于快充、无线充电、手机射频开关、新能源汽车充电、音响功放、IDC、储能、数据中心等30V-1200V领域。汉骅半导体拥有完整的Micro-LED IDM产线，2023年发布了全球最小的2微米超过4k PPI Micro-LED微显示芯片。

中国设计产能最大的GaN外延片工厂

目前，汉骅半导体苏州工业园区核心区域已建成约20000平方米厂区、年产能约30万片4/6/8英寸兼容高端GaN材料产线，及8英寸3DIC Hybrid Bonding芯片产线，是目前国内已建成的产能最大的生产基地。

IDM制造商-英诺赛科

英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于2015年，致力于第三代半导体硅基GaN研发与产业化发展，其母公司英诺赛科（苏州）科技股份有限公司于2024年12月30日在港交所上市。英诺赛科采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。产品覆盖GaN晶圆、GaN分立器件、合封芯片、模组等，已与 OPPO、vivo、小米等手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了合作关系。

全球GaN功率半导体企业中排名第一

根据招股说明书显示，英诺赛科2023年GaN功率半导体业务的收入为592.7百万元人民币，在全球所有GaN功率半导体公司中排名第一，市场份额为33.7%。

全球首条8英寸硅基GaN功率器件生产线

英诺赛科在珠海建造了全球首条8英寸硅基GaN功率器件生产线，专门用于生产硅基GaN功率器件及外延片。截至2024年6月30日，英诺赛科珠海生产基地的产能为每月12,500片晶圆，实现了产业规模的商业化。英诺赛科计划在未来5年内将产能加至每月70,000片晶圆。

03

稳健增长点：5G、消费电子、

新能源汽车

GaN功率器件具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，且制造成本得到控制，目前已经在新能源汽车、半导体照明、新一代移动通信和消费电子领域中得到广泛应用。

5G通信

在5G通信领域，GaN功率器件凭借其高频特性、高功率密度和低损耗优势，已成为5G基站中的关键组件，尤其在功率放大器和其他射频器件方面发挥着重要支撑作用。例如，GaN功率放大器能够显著提高5G基站的输出功率和线性度，从而满足5G通信对高数据传输速率和低延迟的要求。

截至2024年11月，中国5G基站总数已经突破419万，提前完成了“十四五”5G建设目标。2024年12月26日，工信部会议强调，2025年力争累计建成5G基站450万座以上，并提升极端场景应急通信保障能力。随着5G网络的不断建设和升级，对GaN功率器件的需求将持续增长。

中国5G基站累计建设情况

另外，中国还将有序推进5G向5G-A升级。5G-A是在有需要的场景，如工业制造、远程医疗等，根据用户需求进行部分升级。5G-A的发展使得通信设备的需求进一步增加，这也将继续带动GaN器件的发展。

消费电子

在消费电子领域，GaN功率器件的应用主要体现在充电器和电源适配器上。由GaN制成的充电器具有更高的功率密度和更低的发热量，这使得它们可以实现更小的体积和更轻的重量，同时提供更快的充电速度。

2024年1-11月，中国市场手机出货量为2.8亿部，同比增长7.2%；其中5G手机2.41亿部，同比增长12.0%，占同期手机出货量的86.2%。随着5G手机的市场需求持续增长，而GaN功率器件在5G设备中的应用也将随之增加。

新能源汽车

在新能源汽车领域，GaN功率器件的应用主要集中在车载充电器（OBC）、直流/直流转换器（DC/DC）以及车载激光雷达等方面。GaN器件能够显著提升电动汽车的充电效率和续航里程，特斯拉等车企已经在其电动汽车中采用了GaN元件，以提高充电效率和降低能耗。此外，GaN功率器件在车载激光雷达中的应用也提升了雷达的性能，使其能够更好地适应复杂环境下的自动驾驶需求。

2024年中国新能源汽车产销量分别达1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%。随着新一轮“两新”政策的发布，预计2025年新能源汽车市场将继续保持快速增长，GaN功率器件在新能源汽车中的应用也将进一步扩大。

2019年-2024年中国新能源汽车销量

写在最后

综上所述，中国GaN产业在市场需求的推动下，已经取得了显著的进展。从沿海地区的产业集聚，到一批“黑马”企业的崛起，再到5G、消费电子和新能源汽车等领域的广泛应用，GaN功率器件正成为现代科技发展的重要驱动力。随着技术的不断成熟和成本的进一步降低，其应用范围将持续扩大。

未来，随着5G-A技术的推进、新能源汽车市场的持续增长以及消费电子设备对高性能充电解决方案的需求增加，GaN功率器件的市场需求将持续攀升。