美对华新一轮半导体出口管制举措的解读

2024年12月2日，美国商务部工业和安全局（BIS）公布了一系列半导体管制新规，全方位限制中国获取先进半导体及各类终端应用产品。主要措施包括：修订《出口管理条例》（EAR）中对先进计算项目、超级计算机和半导体制造设备的管制规则；在“实体清单”新增中多家中国机构；对经认证终端用户（VEU）的修改。

本文将对新规主要内容进行详细解读，并分析新规的管制思路及影响。

一、新规主要内容

管制新规的核心内容主要包括以下五个方面：

（一）新增两项外国直接产品（FDP）规则

一项是半导体制造设备FDP，管控对象是与先进节点集成电路生产相关的半导体制造设备，管控范围涵盖使用美国任何技术直接或间接生产的关键产品，这些产品需要持有EAR的许可证方可出口至敏感国家或地区（包括中国）；另一项是FN5 FDP，管控对象是“实体清单”中具有FN5标记的机构，这些机构被认为具有生产先进芯片的潜力。对被标记的机构实施FDP新规，旨在防止这些机构通过全球网络实施先进半导体相关的“产品和技术中转”。

（二）新增高带宽内存（HBM）管制规则

根据新规，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s的内存芯片将受到管制。目前主流HBM3芯片的存储带宽密度是每平方毫米16GB/s，2013年发布的首代HBM1的存储带宽密度也超过每平方毫米2GB/s，这代表市场上能获取的主流HBM芯片均在管制范围内。美国商务部同时对先进动态随机存取存储器（DRAM）实施更严格的管控规定，将先进DRAM的管控技术标准，从“≤18纳米半间距”，更新为“存储密度＞0.288Gbit/mm²”或“存储单元面积＜0.0019μm²”[1]。

（三）扩大半导体制造设备管制范围

美国商务部针对半导体制造设备，新增了多项管制物项（见表1），覆盖光刻、离子注入、沉积、蚀刻、退火，以及晶圆清洗、计量和检测等制造环节的多种关键设备，管制的深度和范围进一步扩大。

表1 美国BIS新增半导体设备管制范围

资料来源：商务部工业与安全局《美国联邦法规》第15卷

（四）更新“实体清单”和“经认证终端用户”

本次共有136家中国机构被列入美国“实体清单”（详见附表一），主要集中于半导体制造设备、关键材料和存储芯片等。同时，美国商务部对中芯国际、鹏芯微、武汉新芯等14家中国机构添加FN5标记。此外，4家与中国半导体企业相关联的海外公司也被列入“实体清单”。其中，Kingsemi Japan是中国芯源微在日本的全资子公司，新加坡Skyverse Pte、韩国的ACM Research Korea和Empyrean Korea分别是中科飞测、盛美和华大九天的关联公司。除此之外，美国商务部还将3家中国企业（中微、华虹和华润微电子）从“经认证终端用户”（VEU）“白名单”中移除。VEU是美国商务部设立的一项授权机制，允许经过认证的企业无需单独申请许可即可接收特定的受管控商品、软件或技术。

表2 添加FN5标记的14家中国机构

（五）新增对软件密钥的管控要求

新规明确，软件密钥（也称为软件许可证密钥）与其所支持访问的软件或硬件面临相同的出口管控。软件密钥同样需要申请适用于软件或硬件的出口、再出口或境内转让的许可证，这对已出口的部分软硬件产品同样设下了“定时炸弹”。

二、新规的管制思路及影响

美国商务部在本次新规中综合采用了多种措施，从产业垂直和全球网络两个纵横交错的维度，限制中国获取先进半导体的路径。

第一，新规进一步扩大了对半导体关键设备、产品及关键部件的管制范围，限制中国企业获得关键半导体制造设备，尤其是对先进制程技术的获取。

第二，新增两项FDP规则和扩大“实体清单”范围，限制更多中国机构通过各种间接渠道（非美国家）获取采用美国技术生产的先进半导体技术及产品，多措并举切断中国半导体关键供应链。

第三，针对高性能芯片出口制定严格管制标准，减少美国技术外溢的同时阻碍中国AI领域技术发展。美国商务部新增对HBM和DRAM的严格限制，远不局限在对中国先进半导体发展设卡，重点矛头直指中国人工智能和先进计算领域的创新发展。

[1] 新标准下，在14nm及以下工艺生产的DRAM，包括1a（14nm-12nm）、1b（12nm-10nm）和1c（10nm以下）工艺，均在管控范围；依赖极紫外光刻（EUV）的先进制程技术也在管控范围。

附表一：被美国商务部新列入“实体清单”的136家中国机构（2024.12.02）

刘冉，上海市科学学研究所助理研究员；张涵，上海市科学学研究所助理研究员。文章观点不代表主办机构立场。

◆ ◆ ◆

编辑邮箱：sciencepie@126.com