北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥阿基米德电子科技有限公司申请一项名为“一种宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119342863 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明属于功率半导体器件技术领域，提供了宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法。本发明采用受力产生电信号的材料(简称力电材料)在宽禁带半导体功率MOS芯片(简称MOS芯片)上设置了结温检测区：如果对力电材料施加压力，它便会产生电位差，反之施加电压，则产生机械应力，即力电材料能够将力转换成电信号；压力的来源：MOS芯片工作时，温度会升高，由于MOS芯片各材料之间的热膨胀系数不同，热膨胀会导致力电材料受到力，进而在力电材料两极产生电位差，最终实现对MOS芯片的温度监测。本发明结温检测区中的力电材料能够感知整个MOS芯片的力相互作用而产生的温度变化。
天眼查资料显示，合肥阿基米德电子科技有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥阿基米德电子科技有限公司参与招投标项目3次，知识产权方面有商标信息6条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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