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TechInsights 在光威 DDR-6000 UDIMM 模块中发现了 CXMT 的新型 16 nm DRAM 芯片，证实了中国内存行业的进步。CXMT 16 Gb DDR5 芯片尺寸为 67 平方毫米，密度为每平方毫米 0.239 Gb。DRAM 单元比 CXMT 之前的 G3 代小 20%。
这是该公司从 23 nm (G1) 和 18 nm (G2) 节点发展而来。尽管取得了这一进步，但 CXMT 在制造能力方面仍落后三星、SK 海力士和美光约三年。这家总部位于合肥的公司在美国制裁限制某些制造设备和材料的使用的情况下实现了这一生产里程碑。
TechInsights 在市售内存模块中发现了这些芯片，证实 CXMT 已进入 DDR5 量产领域。预计到 2027 年，DDR5 技术将成为主要的 DRAM 标准。三大 DRAM 制造商已经生产了多代 DDR5，DDR5 现在的速度已达到 10000 MT/s。
这是 CXMT 首款进入消费市场的 DDR5 DRAM 产品。这些芯片满足当前 DDR5 规范的基本兼容性要求，这意味着中国内存制造业已在其本土实现了“1z”内存制造。这是中国半导体行业的第二则重大新闻，此前 TechInsights 还证实长江存储已开始出货 292 层 NAND 闪存。
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