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最近英特尔在ISSCC 2025上，介绍了备受期待的Intel 18A工艺技术，其中强调了SRAM密度的重大改进。按照英特尔的说法，SRAM位单元尺寸将从Intel 3工艺的0.03μm²缩小到Intel 18A工艺的0.023μm²，HDC也显示出类似的改进，缩小到0.021µm²。相比之下，台积电（TSMC）N5、N3B和N2工艺的SRAM位单元大小分别为0.021µm²、0.0199μm²和0.0175μm²。
近日英特尔官网更新了Intel 18A工艺的信息，并发布了一条消息：“Intel 18A现已经为客户项目做好准备，将于2025年上半年开始流片，如果想要了解更多信息，请联系我们。”
在英特尔看来，Intel 18A工艺将是其先进半导体工艺研发的转折点。除了SRAM密度可以赶上台积电，每瓦性能提高15%，芯片密度比至强6系列处理器采用的Intel 3工艺提高了30%。同时英特尔结合了GAA晶体管架构，另外还引入了PowerVia背部供电技术，这是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。
目前已知英特尔在Intel 18A工艺的主要产品有Panther Lake（AI PC客户端处理器）和Clearwater Forest（服务器处理器），外部代工客户有亚马逊AWS和微软Azure，英特尔将为客户制造内部定制芯片。此外，博通正在探索基于Intel 18A工艺的设计。
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