北京
金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯京城集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119833523 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供存储晶圆，存储晶圆包括第二衬底，具有相对的第三面与第四面，包括位于第三面上的第二器件层；提供第一衬底，包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的埋氧层以及位于埋氧层表面的第二半导体层，第一衬底包括相对的第一面和第二面，第一面为第二半导体层表面；在第一面表面形成第一器件层；将第三面与第一器件层相键合；在第一半导体层内形成阱区；在第一衬底、第一器件层以及存储晶圆内形成贯穿第一衬底、第一器件层以及存储晶圆的第一导电插塞；在第二面表面形成第一互连结构，第一互连结构与阱区电连接。各晶圆沿竖直方向电连接，使得各晶圆表面无高度差且减小水平方向芯片面积，提高器件集成度。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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