北京
金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，广州天极电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅电容器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119835950 A，申请日期为 2024年12月。
专利摘要显示，本发明属于半导体电容技术领域，具体涉及一种硅电容器及其制备方法。本发明提供的硅电容器，包括硅衬底，所述硅衬底上表面设置有若干重复排列的结构单元，每个结构至少划分为两个区域，每个区域内的硅衬底的上表面均设置有横向或纵向阵列排布的条形立柱，任意相邻区域内的条形立柱的排布方向相互垂直，任意区域内最外侧的条形立柱的端部与相邻区域内最外侧条形立柱的相邻端相接。本发明提供的硅电容器优化了条形立柱的刻蚀形貌以及导电层的填充形貌，提高电容器的电性能、容量密度、可靠性以及集成度，由此本发明提供的硅电容器可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，与现有微电子工艺兼容，扩展性好。
天眼查资料显示，广州天极电子科技股份有限公司，成立于2011年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州天极电子科技股份有限公司参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可22个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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