北京
金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，山西天成半导体材料有限公司申请一项名为“12391.一种碳化硅晶体生长炉及晶体生长方法”的专利，公开号CN119800509A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体生长炉及晶体生长方法，涉及碳化硅单晶领域。该碳化硅晶体生长炉包括真空加热腔体，所述真空加热腔体内设有用于提供加热热源的电阻加热器，所述真空加热腔体上设有抽气管路，还包括：坩埚组件、应力消除组件、集成移动机构、测温组件、控制监控模块，所述坩埚组件包括坩埚提拉杆，所述坩埚提拉杆的下端固定连接有坩埚盖，所述坩埚盖的下部可拆卸连接有坩埚，所述坩埚内设有碳化硅粉料，所述坩埚盖朝向碳化硅粉料的一侧面设有碳化硅籽晶。通过设置的集成移动机构、测温组件、应力消除组件、控制监控模块，获得理想的热场分布，使得晶体在稳态热场中均匀生长，获得低缺陷密度、低应力的高质量晶体。
天眼查资料显示，山西天成半导体材料有限公司，成立于2021年，位于太原市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1333.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，山西天成半导体材料有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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