金融界2025年4月19日消息,国家知识产权局信息显示,成都森未科技有限公司申请一项名为“自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件”的专利,公开号CN119815848A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提供了一种自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件,涉及半导体技术领域,对第一绝缘层的第一区域和第二区域进行分区刻蚀,从而使得第一区域形成定位窗口,第二区域形成定位凹槽,刻蚀衬底形成沟槽,并在沟槽内完成第二绝缘层、第一导电层和第三绝缘层的制备,然后再刻蚀第一绝缘层和衬底形成金属接触孔。相较于现有技术,本发明通过对第一绝缘层的分区刻蚀形成了定位凹槽,利用定位凹槽能够实现利用自对准工艺进行金属接触孔的制备,对准精度高,且沟槽和金属接触孔能够设计在同一版图上,无需额外的对准步骤,简化了制造流程,减少了光刻和蚀刻步骤的使用,降低了制造成本,并提高了器件的一致性和成品率。
天眼查资料显示,成都森未科技有限公司,成立于2017年,位于成都市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1261.0514万人民币。通过天眼查大数据分析,成都森未科技有限公司共对外投资了2家企业,财产线索方面有商标信息14条,专利信息51条,此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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