北京
金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，成都森未科技有限公司申请一项名为“自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件”的专利，公开号CN119815848A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件，涉及半导体技术领域，对第一绝缘层的第一区域和第二区域进行分区刻蚀，从而使得第一区域形成定位窗口，第二区域形成定位凹槽，刻蚀衬底形成沟槽，并在沟槽内完成第二绝缘层、第一导电层和第三绝缘层的制备，然后再刻蚀第一绝缘层和衬底形成金属接触孔。相较于现有技术，本发明通过对第一绝缘层的分区刻蚀形成了定位凹槽，利用定位凹槽能够实现利用自对准工艺进行金属接触孔的制备，对准精度高，且沟槽和金属接触孔能够设计在同一版图上，无需额外的对准步骤，简化了制造流程，减少了光刻和蚀刻步骤的使用，降低了制造成本，并提高了器件的一致性和成品率。
天眼查资料显示，成都森未科技有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1261.0514万人民币。通过天眼查大数据分析，成都森未科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息14条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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