北京
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金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司和北京大学申请一项名为“一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法”的专利，公开号CN119851719A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法。该方法基于一定电导阈值将忆阻器编程的目标电导划分在低导范围或高导范围，针对不同范围采用具有不同起始电导态、编程脉冲方向和去噪脉冲方向的编程方案。本发明的多值编程方法以忆阻器阻变过程中导电细丝生长和断裂的物理过程为基础，使忆阻器结束编程后的状态尽可能保持在更稳定的状态，进而使得忆阻器件具有更好的多值保持特性。与现有的忆阻器多值编程方案相比，本发明可以在不大幅增加器件编程时间和功耗开销的情况下，改善器件多值编程后数据存储的保持特性，使得其能更好地被使用于数据存储领域或存内计算领域，从而提升忆阻器存储和计算的可靠性和系统性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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