金融界2025年4月21日消息,国家知识产权局信息显示,恩特格里斯公司申请一项名为“11665.用于离子植入系统的含氯前体及相关方法”的专利,公开号CN119856270A,申请日期为2023年8月。
专利摘要显示,一种用于产生植入到衬底中的铝离子的系统及方法。所述系统及方法包括将来自第一容器的含氯气体,任选地连同含氢共伴气体及任选地连同含氟共伴气体一起,流到离子植入装置的离子源室。所述离子源室包括固体铝靶材料。在所述离子源室中,产生铝离子以用于植入到衬底中。
本文源自:金融界
作者:情报员
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