北京
据中国台湾科技媒体technews报道，全球存储器市场已进入剧烈变动期！业界消息指出，三星电子已正式通知客户，将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4内存生产（EOL，End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单（Last Buy Order，LBO），预计最迟于10月前完成出货。
业者分析，主要是因为因为中国大陆低端手机采用的LPDDR4，已被大陆长鑫存储拿走订单，三星未来将会更聚焦LPDDR5以上的高阶产品。
此举也宣告DRAM产品结构再度洗牌，并反映韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高带宽存储器（HBM）与DDR5。
台系存储器厂如华邦电、南亚科因主力产品放在DDR4，法人预期，有望受惠于三星停产DDR4的动作。
业界人士指出，早在数月前，已传出三星有意停产部分DDR4产品，主要原因包括：一、为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线; 二、长鑫存储持续扩张DDR4产能，并采取低价抢市策略，导致市场竞争加剧与利润压缩。
此外，全球市场亦受到地缘政治因素干扰，美国总统特朗普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾地区出口至美国的存储器模组与SSD等产品课征32%关税。
虽然晶圆与裸晶型态HBM、DDR与NAND不在此波课税清单中，但终端模组产品需求恐将受到压抑，进一步拖累全球消费性存储器市场表现。
根据研究机构最新预测，在中立情境下，2025年全球内存位需求年增率，将自原先预估的12.8%下修至4.8%;而熊市情境更下探至3.5%。
NAND市场方面，尽管目前现货价格已逼近制造成本，好在原厂启动10%~20%的产能调节计划，仍能维持获利与价格稳定。
另一方面，中国大陆厂商长鑫存储与长江存储积极进军高阶存储器市场。外媒指出，长鑫存储正以2026年量产HBM3为目标，并预计2027年导入HBM3E，未来或将实现中国HBM自给自足的目标。
目前全球DRAM与NAND资本支出维持保守，整体供应链将面对来自中国大陆厂商的激烈竞争与美国对等关税政策风险升温。
整体而言，业者认为，存储器市场短期价格将由备货与供给收缩支撑，但中长期仍需关注中国大陆扩产进度、美国关税政策走向及原厂资本支出策略。
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