北京
金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“efuse单元结构及存储器”的专利，公开号CN119855153A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种efuse单元结构及存储器，efuse单元结构包括：JFET管，所述JFET管的漏极和栅极与电源电压连接；熔丝，所述熔丝具有第一端以及与所述第一端相对的第二端，所述第二端接地，所述JFET管的源极与所述熔丝的第一端电连接。通过控制JFET管栅极和漏极之间的电压大小，来控制JFET管中耗尽层的宽度大小，相应的，能够通过控制JFET管中耗尽层的宽度大小，来控制JFET管中通过的电流值大小，从而使流过熔丝的电流值能够满足熔丝熔断的性能要求，进而提高了efuse单元结构的读取性能，同时，通过在efuse单元结构中设置JFET管，相较于现有efuse单元结构中设置MOS管的方案，具有节约面积的效果，进一步提高了efuse单元结构的小型化。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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