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今年初英特尔在ISSCC 2025上，介绍了备受期待的Intel 18A工艺技术，其中强调了SRAM密度的重大改进，取得了不错的进步。随后英特尔官网更新了Intel 18A工艺的信息，表示已经为客户项目做好准备，将于2025年上半年开始流片。近期英特尔新任首席执行官Lip-Bu Tan（陈立武）也强调了Intel 18A正在按既定计划推进，预计今年下半年随着Panther Lake的推出，将开始大规模量产。
据TomsHardware报道，英特尔准备在2025年6月8日至12日于日本京都举行的VLSI研讨会上，详细介绍Intel 18A工艺，而且已经发布了预览文档。正如之前所预期的那样，相比于Intel 3，新一代Intel 18A在性能、能效和面积（PPA）指标上都有显著提升，为客户端及数据中心打造更具优势的产品奠定基础。
英特尔表示，与采用Intel 3工艺制造的相同模块比较，Intel 18A在相同电压（1.1V）和复杂条件下，Arm核心子模块的性能提高了25%，在相同频率和1.1V电压下，功耗可降低36%，另外在低电压（0.75V）下，性能提高了18%，且功耗降低了38%。与此同时，Intel 18A始终可以实现0.72倍的面积缩放。Intel 18A是英特尔首个支持PowerVia背部供电技术和GAA晶体管架构的制程技术，两项新技术为其带来了明显的PPA优势。
在标准单元布局时，Intel 18A相对于Intel 3实现的显著物理扩展：在高性能库（HP）中的单元高度从240CH降至180CH；在高密度库（HD）里则从210CH降至160CH。这意味着垂直尺寸平均减少了约25%，更紧密的单元架构使得晶体管密度增加，有助于提高面积效率。
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