北京
分享至
金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“功率半导体器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN119815850A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种功率半导体器件结构及其制造方法，通过在多晶硅层的顶部侧壁形成侧墙结构，通过侧墙结构限定出自对准窗口，针对小元胞功率半导体器件，通过控制侧墙结构的横向宽度限定源极接触孔与沟槽之间的横向间距，尤其是源极接触孔与沟槽栅多晶硅的距离小于0.2微米的IGBT，可以大大提高源极接触孔到多晶层之间距离的精度，降低后续源极接触孔掩膜版与沟槽栅掩膜版对准精度要求，进而大大提高IGBT晶圆片内和片间饱和压降一致性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1791次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1018条，此外企业还拥有行政许可191个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
