上海
SK海力士在美国的投资，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。
路透社9月16日援引三名知情人士称，SK海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案，是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更大胆的方案，则是SK海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品也没有确定。SK海力士随后强调，目前尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国内存生产计划。
今年8月，SK海力士刚刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超过40亿美元，计划2029年下半年量产下一代HBM。这个项目被包装为首个“美国制造”HBM基地，但核心DRAM晶圆实际上仍然在韩国生产，再运到美国完成先进封装和测试。换句话说，美国拿到的是HBM产业链非常重要的一环，却还没有拿到SK海力士最核心的前道晶圆制造。
现在讨论俄亥俄项目，性质就不同了。
如果SK海力士真的把DRAM晶圆制造搬到美国，美国半导体本土化就将从“把最后几道关键工序放在美国”，进一步变成“把核心芯片本身也在美国制造”。
背后既有市场因素，也有明显的政策压力。
SK集团会长崔泰源今年7月就公开表示，公司正受到客户和各国要求增加芯片供应的巨大压力，并称“我认为我们需要在美国建一座工厂”。与此同时，美国商务部长霍华德·卢特尼克曾威胁，对没有增加美国本土生产承诺的韩国和台湾半导体企业征收最高100%的关税。路透社称，华盛顿也一直推动SK海力士尽快承诺进一步扩大美国投资。
对SK海力士来说，英特尔的俄亥俄工厂恰好提供了一个特殊入口。
英特尔早在2022年就宣布在那里建设大型芯片基地，但两座工厂的投产时间后来推迟至2030年和2031年。如果SK海力士租用部分设施，不必完全从零建设美国晶圆厂；英特尔则可以提高资产利用率、缓解巨额投资压力。若云计算巨头也加入，甚至可能形成一种新的AI供应链模式：客户直接参与上游产能建设，以换取稳定的HBM和DRAM供应。
真正棘手的问题反而在韩国。
DRAM和HBM已经被韩国视为核心产业技术。韩国贸易部门明确表示，如果美国投资涉及“国家核心技术”，必须依照《产业技术保护法》接受审查。美国建厂的人工、建设和供应链成本本来也明显高于韩国。
而且SK海力士并没有准备放弃韩国。今年8月，公司刚宣布在龙仁和清州追加约54万亿韩元，建设新的DRAM和NAND晶圆厂。
所以更准确的理解不是“SK海力士要把产能搬离韩国”，而是美国正在一点点提高进入其AI产业链的门槛：
最初只需要把芯片卖给美国，后来要求在美国封装HBM；现在，讨论已经进一步深入到DRAM晶圆制造。
美国想要的，正在从“韩国企业来投资”，变成“韩国最核心的半导体制造能力也必须在美国落地一部分”。
如果SK海力士最终跨出这一步，接下来面对同样问题的，就不会只有SK海力士。
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